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El Pentágono implanta Chips de memoria en cerebros de 24 voluntarios soldados estadounidenses

Implantación de matrices de electrodos en el cerebro ha demostrado la posibilidad de aumentar la capacidad de la memoria humana, permite elaborar en el futuro una tecnología de curación de la pérdida de memoria causada por el traumatismo craneoencefálico, afirma en un comunicado Justin Sánchez, jefe del programa Restoring Active Memory (RAM, por sus siglas en inglés) de la Agencia de Proyectos Avanzados de Defensa de Estados Unidos (Darpa).

Personas que participaron en el estudio tienen problemas neurológicos no relacionados con la pérdida de memoria, pero se ofrecieron como voluntarios para probar las nuevas tecnologías de la intervención neurotecnológica y se sometieron a la cirugía cerebral.

Las pequeñas matrices de electrodos fueron colocadas en las regiones del cerebro involucradas en la formación de memoria declarativa (utilizada para recordar objetos, hechos o eventos específicos) y, también, en las regiones implicadas en la memoria espacial y la navegación. Estos dispositivos se utilizaron para estimular el proceso de trasmisión de señales neuronales.

"Los resultados iniciales indicaron que sí es posible capturar e interpretar las señales clave o 'códigos neuronales' que vienen del cerebro humano durante la codificación de la memoria y la recuperación, y mejorar la memoria al proporcionar estimulación eléctrica específica del cerebro", explica el investigador Sánchez.

Problema mundial El objetivo de los científicos es crear un dispositivo inalámbrico neuronal que se implante fácilmente en el cerebro para descifrar los impulsos nerviosos y facilitar o recuperar el proceso de actuación de estas señales a través de una estimulación neuronal.

El traumatismo craneoencefálico se ha convertido en un problema grave en todo el mundo. Cada año hay 1,3 millones de víctimas de accidentes


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